江蘇愛姆歐光電材料有限公司
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MO源未來的發(fā)展。針對剛才三個不足之處,特別對于水氧的敏感,如何降低對水和氧的敏感。因為周圍三個甲基,周圍只有六個電子,有接觸電子的能力,這個性質(zhì)不是非常穩(wěn)定。因為在元素周圍要達到八個電子是比較穩(wěn)定的。采用一些孤電子,像胺、膦。這個表當中列出來的,比如說像這樣的MO源,通過有孤類電子的膦,降低它的活性。
二是降低碳沾污,將三甲基鎵、三甲基銦、三甲基鋁等分子中的甲基替換成異丙基或叔丁基。
三是改進固體三甲基銦源蒸氣壓的措施。改變封裝容器的結(jié)構(gòu),配置成溶液銦源。制備業(yè)態(tài)銦源。
四是采用單一的MO源。現(xiàn)在大家也知道我們的MOCVD是用三甲基鎵和氨氣進行反應(yīng),現(xiàn)在氨氣用量是非常大的,這么大量的消耗,而MO的消耗通常只有3公斤這樣的水平已經(jīng)是比較多了,而氨氣,在3公斤MO的情況下面需要1.5噸,所以這兩個比例是非常不協(xié)調(diào)的。將來可能采用單一的MO源,就是在一個MO當中,就是不需要使用那么多氨氣的消化。
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