MO源未來的發(fā)展。針對剛才三個(gè)不足之處，特別對于水氧的敏感，如何降低對水和氧的敏感。因?yàn)橹車齻€(gè)甲基，周圍只有六個(gè)電子，有接觸電子的能力，這個(gè)性質(zhì)不是非常穩(wěn)定。因?yàn)樵谠刂車_(dá)到八個(gè)電子是比較穩(wěn)定的。采用一些孤電子，像胺、膦。這個(gè)表當(dāng)中列出來的，比如說像這樣的MO源，通過有孤類電子的膦，降低它的活性。

二是降低碳沾污，將三甲基鎵、三甲基銦、三甲基鋁等分子中的甲基替換成異丙基或叔丁基。

三是改進(jìn)固體三甲基銦源蒸氣壓的措施。改變封裝容器的結(jié)構(gòu)，配置成溶液銦源。制備業(yè)態(tài)銦源。

四是采用單一的MO源?，F(xiàn)在大家也知道我們的MOCVD是用三甲基鎵和氨氣進(jìn)行反應(yīng)，現(xiàn)在氨氣用量是非常大的，這么大量的消耗，而MO的消耗通常只有3公斤這樣的水平已經(jīng)是比較多了，而氨氣，在3公斤MO的情況下面需要1.5噸，所以這兩個(gè)比例是非常不協(xié)調(diào)的。將來可能采用單一的MO源，就是在一個(gè)MO當(dāng)中，就是不需要使用那么多氨氣的消化。